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NTF3055L108T1G

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

TECHPUBLIC

NTF3055L108T1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTF3055L108T1G

Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N?묬hannel SOT??23

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTF3055L108T1G

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

NTF3055L108T1G

Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N?묬hannel SOT??23

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTF3055L108T1

PowerMOSFET3.0A,60V,LogicLevel,N?묬hannelSOT??23

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NVF3055L108T1G

PowerMOSFET3.0A,60V,LogicLevel,N?묬hannelSOT??23

ONSEMION Semiconductor

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NVF3055L108T1G

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI

详细参数

  • 型号:

    NTF3055L108T1G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 3A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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ON/安森美
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更多NTF3055L108T1G供应商 更新时间2024-4-25 11:03:00