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NTD60	文件：35 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS 文件：35 Kbytes 页数：2 Pages	edi	edi
NTD60N02R	文件：299.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.45Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD60N02R-1	文件：317.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.45Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD60N03	文件：299.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 28V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD60N03-1	文件：317.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 28V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD600N80S3Z	文件：333.78 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NTD600N80S3Z；Package：TO-252；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III 800 V, 600 m, 8 A 文件：333.78 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD60N02R	文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD60N02R	文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD60N02R.1	文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD60N02R.1G	文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTD60
制造商：
EDI
制造商全称：
Electronic devices inc.
功能描述：
HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	NTD60N02RT4G	ON	17+	TO-252	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	NTD60N02T4		24+		3000	公司存货	询价
深圳市联世界科技有限公司	NTD60N02R	ON	24+/25+		189	原装正品现货库存价优	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	NTD60N02	ON	25+	TO-263-5	18000	原厂直接发货进口原装	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NTD60N02RT4G	ON	23+	TO-252	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市弘为电子有限公司	NTD60N02R	ONSEMICONDU	24+	原厂封装	13050	原装现货假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NTD60N02RT4G	ON	25+	TO-252	175	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市利加科技有限公司	NTD60N02RT4G	ON	16+	TO-252	2400	全新原装现货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NTD60N03T4	ON	24+	DPAK	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价
深圳市凌旭科技有限公司	NTD60N02RG-1G	ON	2016+	TO-251	6000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价

更多NTD60供应商更新时间2025-12-28 8:31:00

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