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NTD50

HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS

文件:35 Kbytes 页数:2 Pages

EDI

NTD50N03R

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:298.78 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD50N03R-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.3 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD50N03R

Power MOSFET

文件:79.51 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD50N03R-001

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:959.95 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD50N03R-035

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:960.89 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD50N03R-1

Power MOSFET

文件:79.51 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD50N03R-1G

Power MOSFET

文件:79.51 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD50N03R-1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:960.92 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD50N03R-35

Power MOSFET

文件:79.51 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD50

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 68A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
17+
TO-252
6200
询价
ON
24+
DPAK
6000
进口原装正品假一赔十,货期7-10天
询价
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
8866
询价
ON
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SOP8
1819
原装现货假一罚十
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ON
1716+
?
6500
只做原装进口,假一罚十
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ON
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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ONS
25+
TO-252
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
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进口ON
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TO-252
65200
一级代理/放心采购
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ONS
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DPAK
20000
普通
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ON/安森美
2447
DPAK
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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更多NTD50供应商 更新时间2026-1-17 8:31:00