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NP84N055KHE-E1-AY	文件：219.92 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=4540pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP84N055KHE-E1-AY	文件：306.34 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=4540pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=4540pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=4540pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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详细参数

型号：
NP84N055KHE-E1
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NP84N055KHE-E1供应商更新时间2024-6-6 15:30:00

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