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NP80N06PLG-E2B-AYNote	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：355.07 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N06PLG-E2B-AY	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP80N06MLG, NP80N06NLG, and NP80N06PLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Built-in gate protection diode • Super low on-state resistance - NP80N06MLG, NP80N06NLG RDS(on)1 = 8.6 mΩ MAX 文件：355.07 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N06PLG-E2B-AY	文件：1.05517 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.05517 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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