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NP82N04MLG	文件：333.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：333.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP82N04MLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N04MLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
NP82N04MUG	文件：322.83 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP82N04MUG and NP82N04NUG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Non logic level • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • High current rating ID(DC) = ±82 A • Low i 文件：322.83 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N04MUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N04MUG	文件：332.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：332.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Ciss (pF) typ.：
6000
Package Type：
MP-25K/TO-220
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
143
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
40
Mounting Type：
Through Hole
ID (A)：
82
Series Name：
NP Series
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
8.5
QG (nC) typ.：
100
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
4.2

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