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NGB8202NT4G	文件：144.89 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 文件：144.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGB8202NT4G	文件：124.89 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel D2PAK 文件：124.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGB8202NT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 440V 20A 150W D2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGB8202NT4	文件：144.89 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 文件：144.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGB8202NT4	文件：114.36 Kbytes Page：8 Pages	20 A, 400 V, N-Channel D2PAK 文件：114.36 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGB8202NT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
IGBT 440V 20A 150W D2PAK

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