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NGD8201ANT4G

点火IGBT电源半导体

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 ·DPAK封装占用空间小,可增加电路板空间\n·栅极发射极ESD保护\n·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n·集成ESD二极管保护\n·低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n·低饱和电压\n·高脉冲电流能力\n·选配栅极电阻(RG)和栅极发射极电阻(RGE)\n·提供无铅封装;

Littelfuse

力特

NGD8201ANT4G

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

文件:125.66 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD8201ANT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 440V 20A 125W DPAK

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

NGD8201ANT4G

LITTELFUSE
TO-252

Littelfuse

力特

上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

NGTB15N120FL2W

ON
TO-247

ON

产品属性

  • 产品编号:

    NGD8201ANT4G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4.5V,20A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/5µs

  • 测试条件:

    300V,9A,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252,(D-Pak)

  • 描述:

    IGBT 440V 20A 125W DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NGD8201ANT4G供应商 更新时间2025-10-4 15:22:00