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NE76118	文件：51.65 Kbytes Page：8 Pages	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width : Wg = 400 Pm • 4 pins super mini mold • Tape & reel packaging only available 文件：51.65 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE76118	文件：187.52 Kbytes Page：10 Pages	GaAs MES FET L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width : Wg = 400 Pm • 4 pins super mini 文件：187.52 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE76118	文件：32.58 Kbytes Page：4 Pages	GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER 文件：32.58 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE76118	文件：33.42 Kbytes Page：4 Pages	GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER 文件：33.42 Kbytes 页数：4 Pages	CEL	CEL
NE76118	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER	CEL	CEL
NE76118	文件：300 bytes Page：1 Pages	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET	Renesas 瑞萨	Renesas
NE76118-T1	文件：187.52 Kbytes Page：10 Pages	GaAs MES FET L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width : Wg = 400 Pm • 4 pins super mini 文件：187.52 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE76118-T1	文件：51.65 Kbytes Page：8 Pages	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width : Wg = 400 Pm • 4 pins super mini mold • Tape & reel packaging only available 文件：51.65 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE76118-T2	文件：51.65 Kbytes Page：8 Pages	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width : Wg = 400 Pm • 4 pins super mini mold • Tape & reel packaging only available 文件：51.65 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE76118-T2	文件：187.52 Kbytes Page：10 Pages	GaAs MES FET L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width : Wg = 400 Pm • 4 pins super mini 文件：187.52 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
NE76118
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

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