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NE76118-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NE76118-T1

功能描述

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

51.65 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-2 23:00:00

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NE76118-T1规格书详情

DESCRIPTION

NE76118 is a n-channel GaAs MES FET housed in MOLD package.

FEATURES

• Low noise figure NF = 0.8 dB TYP. at f = 2 GHz

• High associated gain Ga = 13.5 dB TYP. at f = 2 GHz

• Gate width : Wg = 400 Pm

• 4 pins super mini mold

• Tape & reel packaging only available

产品属性

  • 型号:

    NE76118-T1

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY CEL 1/02 SOT-343 GP MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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