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NE85634	文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes 页数：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85634	文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：216.06 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
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NE85634-T1	文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes 页数：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85634-T1	文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes 页数：26 Pages	CEL	CEL
NE85634-T1-A	文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：216.06 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
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NE85634-T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL	CEL
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详细参数

型号：
NE85634
功能描述：
射频双极电源晶体管 NPN High Frequency
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NE85634供应商更新时间2026-1-19 14:01:00

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