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NE85634-T1分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE85634-T1 |
| 参数属性 | NE85634-T1 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 文件大小 |
831.88 Kbytes |
| 页面数量 |
26 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-5 17:08:00 |
NE85634-T1规格书详情
NE85634-T1属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE85634-T1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
NE85634-T1
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
6.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值：
2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
SOT89 |
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