选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SOT23-3 |
24000 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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NECSOT23 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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NE856338460 |
8460 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
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SKSOT-23 |
58600 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
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NECSOT23 |
180000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
17048 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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NECSOT23-3 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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NECSOT-23 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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SOT-23 |
68900 |
RENESAS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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NEC(VA)原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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CELSOT-23-3 |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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NECSOT23-3 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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CEL面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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RENESASSOT-23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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RENESASSOT-23 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
30 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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CELSOT23 |
30000 |
1436+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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CEL |
4 |
11+ |
公司优势库存 热卖中! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT-23 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-23.贴片 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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NE85633-T1B-A价格
NE85633-T1B-A价格:¥2.4229品牌:CEL
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NE85633-T1B-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE85633功能描述:射频双极小信号晶体管 USE 551-NE85633-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85633-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85633L功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85633L-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85633-R23-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCI 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-23
NE85633-R24-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85633-T1B功能描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85633-T1B-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85633-T1B-R23-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCI 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-23
NE85633-T1B-R24制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R