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NE76184A-TI	文件：52.61 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET DESCRIPTION NE76184ASisahighperformancegalliumarsenidemetalsemiconductorfieldeffecttransistorhousedinanepoxysealed,metal/ceramicpackage.Itslownoisefiguremakesthisdeviceappropriateforuseinthesecondorthirdstagesoflownoiseamplifiersoperatinginthe1-12GHzfre	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE76184A	文件：65.72 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSEFETN-CHANNELGaAsMESFET SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE76184A	文件：193.89 Kbytes Page：12 Pages	GaAsMESFET GENERALPURPOSEFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION NE76184AisaN-channelGaAsMESFEThousedinceramic package.Thedeviceisfabricatedbyionimplantationfor improvedRFandDCperformancereliabilityanduniformity.Its excellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitabl	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE76184AS	文件：52.61 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSELTOX-BANDGaAsMESFET DESCRIPTION NE76184ASisahighperformancegalliumarsenidemetalsemiconductorfieldeffecttransistorhousedinanepoxysealed,metal/ceramicpackage.Itslownoisefiguremakesthisdeviceappropriateforuseinthesecondorthirdstagesoflownoiseamplifiersoperatinginthe1-12GHzfre	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE76184A-SL	文件：193.89 Kbytes Page：12 Pages	GaAsMESFET GENERALPURPOSEFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION NE76184AisaN-channelGaAsMESFEThousedinceramic package.Thedeviceisfabricatedbyionimplantationfor improvedRFandDCperformancereliabilityanduniformity.Its excellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitabl	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE76184A-SL	文件：52.61 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSELTOX-BANDGaAsMESFET DESCRIPTION NE76184ASisahighperformancegalliumarsenidemetalsemiconductorfieldeffecttransistorhousedinanepoxysealed,metal/ceramicpackage.Itslownoisefiguremakesthisdeviceappropriateforuseinthesecondorthirdstagesoflownoiseamplifiersoperatinginthe1-12GHzfre	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE76184A-SL	文件：65.72 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSEFETN-CHANNELGaAsMESFET SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE76184B	文件：170.55 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMESFET LtoXBANDOSC N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION NE76184BisaN-channelGaAsMESFEThousedinceramic package.Thedeviceisfabricatedbyionimplantationfor improvedRFandDCperformancereliabilityanduniformity. FEATURES •Lownoisefigure&Highassociatedgain NF=0.8dBTY	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NE76184A-TI
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET

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