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NE8500199	文件：41.14 Kbytes Page：6 Pages	1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package. The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the the 文件：41.14 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE8500199	文件：199.3 Kbytes Page：8 Pages	GaAs MES FET 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET 文件：199.3 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
NE8500199
功能描述：
射频GaAs晶体管 1W C Band MESFET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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