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厂商型号

NE8500199

功能描述

1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

41.14 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 9:48:00

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NE8500199规格书详情

DESCRIPTION

The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.

NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

• Class A operation

• High power output

• High reliability

产品属性

  • 型号:

    NE8500199

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 1W C Band MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
SOT423
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
RENESAS
23+
SOT423
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NEC
23+
26690
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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ZXV
20+
SOT-523
90000
原装现货支持BOM配单服务
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24+
原厂原封
4000
原装正品
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NEC
23+
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RENESAS/瑞萨
20+
SOT423
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RENESAS/瑞萨
24+
SOT423
60000
全新原装现货
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