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NE8500100中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NE8500100

功能描述

1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

41.14 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-11-1 12:11:00

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NE8500100规格书详情

DESCRIPTION

The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.

NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

• Class A operation

• High power output

• High reliability

产品属性

  • 型号:

    NE8500100

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NECELECTRON
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