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NE85001中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE85001
厂商型号

NE85001

功能描述

1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

41.14 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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NE85001规格书详情

DESCRIPTION

The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.

NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

• Class A operation

• High power output

• High reliability

产品属性

  • 型号:

    NE85001

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
15200
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
NEC
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
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RENESAS/瑞萨
22+
SOT423
25000
只有原装原装,支持BOM配单
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RENESAS
2016+
SOT423
15200
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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20+
SOT-523
90000
原装现货支持BOM配单服务
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原装正品
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RENESAS
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RENESAS/瑞萨
20+
SOT423
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NECELECTRON
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DIP/SMD
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NEC
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TO-59
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