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NE856M02-T1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

DESCRIPTION The NE856M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization

文件:63.04 Kbytes 页数:7 Pages

NEC

瑞萨

NE856M02-T1-AZ

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

文件:206.93 Kbytes 页数:8 Pages

CEL

NE856M02-T1-AZ

Package:TO-243AA;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

CEL

CEL

NEO-6M

UBLOX
模块

UBLOX

NEO-6M

U-BLOX
GPS

详细参数

  • 型号:

    NE856M02-T1

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
23+
SOT-89
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NEC
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SOT89
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NEC/RENESAS瑞萨
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SOT-89
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NEC
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SOT-89
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CEL
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NK/南科功率
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SOT-89
60000
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更多NE856M02-T1供应商 更新时间2025-10-11 11:10:00