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NE856M02-T1中文资料PDF规格书

NE856M02-T1
厂商型号

NE856M02-T1

参数属性

NE856M02-T1 封装/外壳为TO-243AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

文件大小

63.04 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-16 9:12:00

NE856M02-T1规格书详情

DESCRIPTION

The NE856M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization system and direct nitride passivation of the surface of the chip. The NE856M02 is an excellent choice for low noise amplifiers in the VHF to UHF band and is suitable for CATV and other telecommunication applications.

FEATURES

• HIGH COLLECTOR CURRENT:

100 mA MAX

• NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE

(SOT-89 TYPE)

• HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION:

22 dBm TYP at 1 GHz

• HIGH IP3:

32 dBm TYP at 1 GHz

产品属性

  • 产品编号:

    NE856M02-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    6.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    1.2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

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