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NE856M02-T1-AZ分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE856M02-T1-AZ |
| 参数属性 | NE856M02-T1-AZ 封装/外壳为TO-243AA；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 |
| 功能描述 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
206.93 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 23:00:00 |
| 人工找货 | NE856M02-T1-AZ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE856M02-T1-AZ规格书详情
NE856M02-T1-AZ属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE856M02-T1-AZ晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
NE856M02-T1-AZ
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
6.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
1.2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
4560 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
NEC |
2016+ |
SOT-323 |
3500 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
323 |
80000 |
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询价 | ||
PHI |
9635+ |
SOP28 |
157 |
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询价 | ||
NEC |
20+ |
SOT-323 |
36800 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT323 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-523 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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PHI |
2025+ |
SOP8 |
3587 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ZXV |
20+ |
SOT-523 |
90000 |
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询价 | ||
CEL |
24+ |
原厂原装 |
4000 |
原装正品 |
询价 |
