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NE85639R-T1中文资料PDF规格书

NE85639R-T1
厂商型号

NE85639R-T1

参数属性

NE85639R-T1 封装/外壳为SOT-143R;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

功能描述

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件大小

832.78 Kbytes

页面数量

26

生产厂商 celduc Relais (Shanghai)Co., Ltd
企业简称

CELDUC凡纪继电器

中文名称

凡纪继电器(上海)有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-1 9:36:00

产品属性

  • 产品编号:

    NE85639R-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    9GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-143R

  • 供应商器件封装:

    SOT-143R

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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