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NE85639-T1分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE85639-T1 |
| 参数属性 | NE85639-T1 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 文件大小 |
831.88 Kbytes |
| 页面数量 |
26 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 11:38:00 |
| 人工找货 | NE85639-T1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE85639-T1规格书详情
NE85639-T1属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE85639-T1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
NE85639-T1-R28-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
9GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
- 供应商器件封装：
SOT-143
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
24+ |
原厂原装 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-89 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NEC/RENESAS瑞萨 |
23+ |
SOT-89 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-89 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SOP8 |
7500 |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-89 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-89 |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
PHI |
23+ |
SOP8 |
12300 |
询价 | |||
PHI |
2025+ |
SOP8 |
3587 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
