首页>NE85639R-T1>规格书详情

NE85639R-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NE85639R-T1
厂商型号

NE85639R-T1

参数属性

NE85639R-T1 封装/外壳为SOT-143R;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

封装外壳

SOT-143R

文件大小

831.88 Kbytes

页面数量

26

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
CEL
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2025-8-4 9:22:00

人工找货

NE85639R-T1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NE85639R-T1规格书详情

NE85639R-T1属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE85639R-T1晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE85639R-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    9GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-143R

  • 供应商器件封装:

    SOT-143R

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
24+
原厂原装
4000
原装正品
询价
24+
N/A
47000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
NK/南科功率
24+
SOT-89
60000
询价
NEC
25+
1790
全新原装现货库存
询价
PHI
23+
SOP8
12300
询价
NEC
24+
SOT-89
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
NEC
22+
SOT89
3000
原装正品,支持实单
询价
RENESAS
23+
SOT-89
63000
原装正品现货
询价
CEL
2022+
SOT-143R
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
NEC/RENESAS瑞萨
23+
SOT-89
89630
当天发货全新原装现货
询价