| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
15年
留言
|
 |
NECSOT-89 |
20300 |
25+ |
|
NEC原装特价NE856M02-AZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
|
|
7年
留言
|
Renesas(瑞萨)标准封装 |
17048 |
24+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
18年
留言
|
CEL |
4 |
25+ |
公司优势库存 热卖中! |
|||
|
15年
留言
|
 |
RENESAS/瑞萨SOT423 |
18233 |
25+ |
|
RENESAS/瑞萨原装特价NE85619-T1-A即刻询购立享优惠#长期有货 |
|
|
15年
留言
|
 |
RENESAS/瑞萨SOT-323 |
18234 |
25+ |
|
RENESAS/瑞萨原装特价NE85630-T1-A即刻询购立享优惠#长期有货 |
|
|
15年
留言
|
NECSOT-143 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
1年
留言
|
NK/南科功率SOT-89 |
986966 |
2025+ |
|
国产 |
||
|
11年
留言
|
RenesasNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
|
6年
留言
|
RENESASSOT323 |
16900 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
|||
|
7年
留言
|
NECSMT36 |
372 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
16年
留言
|
RENESAS原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
|
6年
留言
|
ZXVSOT-523 |
90000 |
20+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
|||
|
6年
留言
|
CELSOT89 |
6000 |
23+ |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
|||
|
5年
留言
|
ADI/亚德诺NA |
60000 |
26+ |
原装正品,可BOM配单 |
|||
|
8年
留言
|
RenesasSMD |
5500 |
24+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
|
8年
留言
|
CEL原厂原装 |
4000 |
24+ |
原装正品 |
|||
|
10年
留言
|
NEC(VA)原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
|
13年
留言
|
NECSOT89 |
3000 |
22+ |
|
原装正品,支持实单 |
||
|
12年
留言
|
CELSOT89 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
|
13年
留言
|
NECSOT-89 |
2987 |
25+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
NE856采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE856图片
NE85619-T1-A价格
NE85619-T1-A价格：￥2.2259品牌：CEL
生产厂家品牌为CEL的NE85619-T1-A多少钱，想知道NE85619-T1-A价格是多少？参考价：￥2.2259。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE85619-T1-A批发价格及采购报价，NE85619-T1-A销售排行榜及行情走势，NE85619-T1-A报价。
NE856M02中文资料Alldatasheet PDF
更多NE856制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85600制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85618-T1制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85619-T1功能描述:TRANS NPN 1GHZ SMD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85630-T1功能描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-323 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85630-T1-R24制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
NE85633-R23-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCI 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-23
NE85633-T1B功能描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85633-T1B-R23-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCI 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-23
NE85633-T1B-R24制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
