| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
7年
留言
|
Renesas(瑞萨)标准封装 |
17048 |
24+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
17年
留言
|
3000 |
24+ |
公司存货 |
||||
|
13年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOT323 |
22055 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
|
5年
留言
|
ADI/亚德诺NA |
60000 |
26+ |
原装正品,可BOM配单 |
|||
|
13年
留言
|
NECSOT-89 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
|
14年
留言
|
NECSOT89 |
3000 |
22+ |
|
原装正品,支持实单 |
||
|
5年
留言
|
NECSOT-89 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
14年
留言
|
NECSMD3/SOT-89 |
1380 |
25+ |
⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙ |
|||
|
1年
留言
|
ADI/亚德诺NA |
30000 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！ |
|||
|
1年
留言
|
NECSMT36 |
372 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单 |
|||
|
8年
留言
|
N/A |
75000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
|||
|
5年
留言
|
NECSMT36 |
12 |
16+ |
只做原装正品 |
|||
|
6年
留言
|
RENESASSOT-423 |
65200 |
24+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
1年
留言
|
RENESASSOT323 |
28000 |
25+ |
原装正品，可来电咨询 |
|||
|
5年
留言
|
66880 |
25+ |
原装正品，欢迎询价 |
||||
|
17年
留言
|
NECSOT-323 |
7500 |
24+ |
||||
|
12年
留言
|
CELSOT-623F |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
|
6年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOT23 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
3年
留言
|
NECSOT-89 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
|||
|
3年
留言
|
RENESASSOT323 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
NE856采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE856图片
NE85619-T1-A价格
NE85619-T1-A价格：￥2.2259品牌：CEL
生产厂家品牌为CEL的NE85619-T1-A多少钱，想知道NE85619-T1-A价格是多少？参考价：￥2.2259。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE85619-T1-A批发价格及采购报价，NE85619-T1-A销售排行榜及行情走势，NE85619-T1-A报价。
NE85630-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE856制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85600制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85618-T1制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85619-T1功能描述:TRANS NPN 1GHZ SMD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85630-T1功能描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-323 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85630-T1-R24制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
NE85633-R23-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCI 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-23
NE85633-T1B功能描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85633-T1B-R23-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCI 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-23
NE85633-T1B-R24制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
