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NE856M03-A

NPN SILICON TRANSISTOR

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CEL

NE856M03-A

Package:SOT-623F;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD

CEL

CEL

NE856M03

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION The NE856M03 transistor is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figure, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NECs new low profile/flat lead style M03 package is ideal for todays portable wireless

文件:37.45 Kbytes 页数:3 Pages

NEC

瑞萨

NE856M03

NPN SILICON TRANSISTOR

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CEL

产品属性

  • 产品编号:

    NE856M03-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-623F

  • 供应商器件封装:

    3 针 SuperMiniMold(M03)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
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更多NE856M03-A供应商 更新时间2025-10-4 14:26:00