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NE76184A-TI中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE76184A-TI
厂商型号

NE76184A-TI

功能描述

GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET

文件大小

52.61 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 8:31:00

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NE76184A-TI规格书详情

DESCRIPTION

NE76184AS is a high performance gallium arsenide metal semiconductor field effect transistor housed in an epoxy sealed, metal/ceramic package. Its low noise figure makes this device appropriate for use in the second or third stages of low noise amplifiers operating in the 1-12 GHz frequency range. The device is fabricated using ion implantation for improved RF and DC performance, reliability, and uniformity. The NE76184AS is suitable for DBS, TVRO, GPS and other commercial applications.

• LOW NOISE FIGURE: 0.8 dB typical at 4 GHz

• HIGH ASSOCIATED GAIN: 12 dB typical at 4 GHz

• LG= 1.0 µm, WG= 400 µm

• LOW COST METAL/CERAMIC PACKAGE

• TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE

产品属性

  • 型号:

    NE76184A-TI

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET

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