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NE8500295-4 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network. NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package. The device incorpo 文件：48.93 Kbytes 页数：8 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | |
NE8500295-4 | GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network. NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package. The device incorp 文件：207.14 Kbytes 页数：10 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
NE8500295-4 | 2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET 文件：60.23 Kbytes 页数：6 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | |
NE8500295-4 | 2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET 文件：61.08 Kbytes 页数：6 Pages | CEL | CEL |
详细参数
- 型号：
NE8500295-4
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
99 |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
NEC |
23+ |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
CEL |
2022+ |
SOT-363 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
CEL |
25+ |
6-TSSOP SC-88 SOT-363 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
原厂正品 |
23+ |
SOT523 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
SOT423 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-423 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
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