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NE6500496_00	文件：33.32 Kbytes Page：2 Pages	L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET DESCRIPTION TheNE6500496isamediumpowerGaAsMESFETdesignedforuptoa4Woutputstageorasadriverforhighpowerdevices.ThedevicehasnointernalmatchingandcanbeusedfromUHFfrequenciesupto3.0GHz.Thechipsusedinthisseriesoffersuperiorreliabilityandconsistentperf	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE650103M	文件：230.89 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL GaAs MES FET 10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE650103M-A	文件：230.89 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL GaAs MES FET 10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE6501077	文件：37.74 Kbytes Page：6 Pages	10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE6501077	文件：196.44 Kbytes Page：8 Pages	GaAs MES FET 10WL,S-BANDPOWERGaAsFET N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE6501077ispowerGaAsFETwhichprovides highgain,highefficiencyandhighoutputpowerinL,Sband. Toreducethermalresistance,thedevicehasaPHS (PlatedHeatSink)structure. FEATURES •ClassAoperation •H	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE6501077_00	文件：32.119 Kbytes Page：2 Pages	L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET DESCRIPTION TheNE6501077isamediumpowerGaAsMESFETdesignedforuptoa10Woutputstageorasadriverforhighpowerdevices.ThedevicehasnointernalmatchingandcanbeusedfromUHFfrequenciesupto3.0GHz.Thechipsusedinthisseriesoffersuperiorreliabilityandconsistentper	CEL California Eastern Labs	CEL
NE650R279A	文件：77.97 Kbytes Page：8 Pages	0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION TheNE650R279Aisa0.2WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.2wattofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiency,excellentdistortionandissuitablea	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE650R279A	文件：212.71 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL GaAs MES FET 0.2WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650R279Aisa0.2WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.2wattofoutputpower(CW)withhigh lineargain,highefficiency	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE650R279A-T1	文件：77.97 Kbytes Page：8 Pages	0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION TheNE650R279Aisa0.2WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.2wattofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiency,excellentdistortionandissuitablea	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE650R279A-T1	文件：212.71 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL GaAs MES FET 0.2WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650R279Aisa0.2WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.2wattofoutputpower(CW)withhigh lineargain,highefficiency	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
NE6
制造商：
Essentra Components
类别：
电缆，电线 - 管理 > 电缆支撑与紧固件
系列：
Richco
包装：
散装
类型：
线夹，P 型
开口尺寸：
0.375"（9.53mm）
安装类型：
紧固件
材料：
铝
颜色：
黑色，银色
宽度：
0.375"（9.53mm）
面板孔尺寸：
0.204"（5.18mm）
材料厚度：
0.031"（0.80mm）
特性：
保护涂层
描述：
CBL CLAMP P-TYPE FASTENER

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