NE6501077中文资料PDF规格书
NE6501077规格书详情
10 W L, S-BAND POWER GaAs FET
N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6501077 is power GaAs FET which provides
high gain, high efficiency and high output power in L, S band.
To reduce thermal resistance, the device has a PHS
(Plated Heat Sink) structure.
FEATURES
• Class A operation
• High output power: 39.5 dBm (typ)
• High gain: 10.5 dB (typ)
• High power added efficiency: 40 (typ)
• Hermetically sealed ceramic package
产品属性
- 型号：
NE6501077
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS/飞利浦 |
23+ |
DIP |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
DIP |
12300 |
询价 | |||
NEC |
04+ |
CAN |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
67 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
PHILIPS/飞利浦 |
22+/23+ |
DIP |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | ||
NEC |
2022 |
SMD |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
PHILIPS/飞利浦 |
DIP 16 |
26520 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
NEC |
95+ |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | |||
NEC |
SMD |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |
