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NE55	文件：729.94 Kbytes Page：14 Pages	PRECISION TIMERS Description These devices are precision timing circuits capable of producing accurate time delays or oscillation. In the time delay or monostable mode of operation, the timed interval is controlled by a single external resistor and capacitor network. In the astable mode of operation, the frequenc 文件：729.94 Kbytes 页数：14 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
NE55	文件：170.42 Kbytes Page：10 Pages	Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier 文件：170.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NE5500134	文件：285.43 Kbytes Page：8 Pages	丝印：V1；SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR 0.8 TO 2.0 GHz CELLULAR HANDSETS DESCRIPTION The NE5500134 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 0.8 to 2.0 GHz cellular handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology 文件：285.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500134-AZ	文件：285.43 Kbytes Page：8 Pages	丝印：V1；SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR 0.8 TO 2.0 GHz CELLULAR HANDSETS DESCRIPTION The NE5500134 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 0.8 to 2.0 GHz cellular handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology 文件：285.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500134-T1	文件：285.43 Kbytes Page：8 Pages	丝印：V1；SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR 0.8 TO 2.0 GHz CELLULAR HANDSETS DESCRIPTION The NE5500134 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 0.8 to 2.0 GHz cellular handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology 文件：285.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500134-T1-AZ	文件：285.43 Kbytes Page：8 Pages	丝印：V1；SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR 0.8 TO 2.0 GHz CELLULAR HANDSETS DESCRIPTION The NE5500134 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 0.8 to 2.0 GHz cellular handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology 文件：285.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500179A	文件：298.49 Kbytes Page：13 Pages	SILICON POWER MOS FET 4.8 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.9 GHz 1 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：298.49 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500179A-T1	文件：298.49 Kbytes Page：13 Pages	丝印：R1；Package：79A；SILICON POWER MOS FET 4.8 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.9 GHz 1 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：298.49 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500234	文件：293.31 Kbytes Page：9 Pages	丝印：V2；Package：SOT-89；SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR DCS1800/PCS1900 HANDSETS 文件：293.31 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500234-AZ	文件：293.31 Kbytes Page：9 Pages	丝印：V2；Package：SOT-89；SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR DCS1800/PCS1900 HANDSETS 文件：293.31 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Rail to Rail：
No
Channels：
2
VS Min (V)：
-18
VS Max (V)：
18
Iq Typ (mA)：
1.3
VOS Max (mV)：
5
GBW Typ (MHz)：
2
SR Typ (V/µs)：
50
IO Typ (mA)：
0.005
ΔVOS/ΔT (μV/C)：
7
Ibias Typ (pA)：
400000
CMRR Typ (dB)：
110
Architecture：
Bipolar
Temperature Range (°C)：
-40 to 125
Package Type：
SOIC-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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