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NE5500134	文件：285.43 Kbytes Page：8 Pages	丝印：V1；SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR 0.8 TO 2.0 GHz CELLULAR HANDSETS DESCRIPTION The NE5500134 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 0.8 to 2.0 GHz cellular handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology 文件：285.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500134-AZ	文件：285.43 Kbytes Page：8 Pages	丝印：V1；SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR 0.8 TO 2.0 GHz CELLULAR HANDSETS DESCRIPTION The NE5500134 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 0.8 to 2.0 GHz cellular handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology 文件：285.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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NE5500134-A	文件：137.58 Kbytes Page：2 Pages	RF & Microwave device 文件：137.58 Kbytes 页数：2 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5500134-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF & Microwave device	Renesas 瑞萨	Renesas

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