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NE5511279A-T1

丝印:W3;Package:79A;SILICON POWER MOS FET

7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

文件:272.91 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

NE5511279A-T1

NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET

文件:99.77 Kbytes 页数:3 Pages

NEC

瑞萨

NE5511279A-T1A

丝印:W3;Package:79A;SILICON POWER MOS FET

7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

文件:272.91 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

NE5511279A-T1A

NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET

文件:99.77 Kbytes 页数:3 Pages

NEC

瑞萨

NE5511279A-T1-A

7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET

文件:296.22 Kbytes 页数:4 Pages

CEL

NE5511279A-T1A-A

7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET

文件:296.22 Kbytes 页数:4 Pages

CEL

NE5511279A-T1-A

Package:4-SMD,扁平引线;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

CEL

CEL

详细参数

  • 型号:

    NE5511279A-T1

  • 制造商:

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述:

    Trans RF MOSFET N-CH 20V 3A 4-Pin Case 79A T/R

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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PW-X79A
89630
当天发货全新原装现货
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