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NE5520279A	文件：351.15 Kbytes Page：8 Pages	3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET DESCRIPTION TheNE5520279AisanN-channelsiliconpowerlaterallydiffusedMOSFETspeciallydesignedasthetransmissionpoweramplifierfor3.2VDCS1800handsets.DiesaremanufacturedusingourNEWMOS2technology(ourWSigatelaterallydiffusedMOSFET)andhousedinasurfacemountpackage	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NE5520279A	文件：290.22 Kbytes Page：11 Pages	SILICON POWER MOS FET 3.2VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR1.8GHz1.6WTRANSMISSIONAMPLIFIERS DESCRIPTION TheNE5520279AisanN-channelsiliconpowerlaterallydiffusedMOSFETspeciallydesignedasthe transmissionpoweramplifierfor3.2VDCS1800handsets.DiesaremanufacturedusingourNEWMOS2	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NE5520279A-EVPW04	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NE5520279A	CEL California Eastern Laboratories	CEL

详细参数

型号：
NE5520279A
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市力通伟业半导体有限公司	NE5520279A	NEC	13+	79A	36000	特价热销现货库存	询价
深圳市博浩通科技有限公司	NE5520279A	NEC	23+	79A	10000	全新原装	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	NE5520279A	CEL	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	NE5520279A-A	NEC	07+/08+	79A	85		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NE5520279A-T1	RENESAS	2020+	79A	959	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NE5520279A-A	CEL	17+	原厂原装	4000	原装正品	询价
深圳市振宏微科技有限公司	NE5520279A-A	NEC	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳市近平电子有限公司	NE5520279A-A	NEC	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NE5520279A-T1	RENESAS/瑞萨	1948+	79A	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NE5520279A-T1	RENESAS	2020+	79A	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

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