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NE5517NG	文件：187.06 Kbytes Page：14 Pages	Dual Operational Transconductance Amplifier TheAU5517andNE5517containtwocurrent-controlledtransconductanceamplifiers,eachwithadifferentialinputandpush-pulloutput.TheAU5517/NE5517offerssignificantdesignandperformanceadvantagesoversimilardevicesforalltypesofprogrammablegainapplications.Circuitperformanceis	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NE5517NG	文件：183.05 Kbytes Page：15 Pages	Dual Operational Transconductance Amplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
5517	文件：442.46 Kbytes Page：1 Pages	StreetfireCoilsforHEMIEngines	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.	MALLORY
5517	文件：31.62 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentRFChokes SpecialFeatures •Veryhighcurrentcapacity •LowDCR •Ferritecore •VW-1ratedshrinktubingtocoverwinding •Fixedleadspacing •Operatingtemperature-55to+105°C •Currenttocause5maximuminductance dropor35°Cmaximumtemperaturerise	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
5517A	文件：23.54 Kbytes Page：1 Pages	ReplacementTestLeadForSimpsonReverseLeadSetDMM?셲	POMONA Pomona Electronics	POMONA
5517-RC	文件：469.54 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
ADS5517	文件：1.6055 Mbytes Page：54 Pages	11-BIT,200MSPSADC	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ADS5517IRGZR	文件：1.6055 Mbytes Page：54 Pages	11-BIT,200MSPSADC	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ADS5517IRGZT	文件：1.6055 Mbytes Page：54 Pages	11-BIT,200MSPSADC	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AT5517	文件：87.21 Kbytes Page：1 Pages	IntegratedPowerSolutionforTFT-LCD	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技	GMT
AU5517	文件：183.05 Kbytes Page：15 Pages	DualOperationalTransconductanceAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AU5517	文件：187.06 Kbytes Page：14 Pages	DualOperationalTransconductanceAmplifier TheAU5517andNE5517containtwocurrent-controlledtransconductanceamplifiers,eachwithadifferentialinputandpush-pulloutput.TheAU5517/NE5517offerssignificantdesignandperformanceadvantagesoversimilardevicesforalltypesofprogrammablegainapplications.Circuitperformanceis	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AU5517D	文件：193.71 Kbytes Page：18 Pages	Dualoperationaltransconductanceamplifier	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CPH5517	文件：49.21 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications Features •CompositetypewithaPNP/NPNtransistorcontainedinpackage,facilitatinghigh-densitymounting. •TheCPH5517consistsoftwochipswhichareequivalenttotheCPH3116andtheCPH3216,respectively. •Ultrasmallpackagepermittingappliedsets	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH5517	文件：405.75 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor Features •CompositetypewithaPNP/NPNtransistorcontainedinpackage,facilitatinghigh-densitymounting •TheCPH5517consistsoftwochipswhichareequivalenttotheCPH3116andtheCPH3216,respectively •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslime(mountingheight	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH5517-TL-E	文件：405.75 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor Features •CompositetypewithaPNP/NPNtransistorcontainedinpackage,facilitatinghigh-densitymounting •TheCPH5517consistsoftwochipswhichareequivalenttotheCPH3116andtheCPH3216,respectively •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslime(mountingheight	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G5517	文件：83.87 Kbytes Page：1 Pages	IntegratedPowerSolutionforTFT-LCD	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技	GMT
GRF5517	文件：1.60853 Mbytes Page：13 Pages	HighLinearityPowerAmplifierTuningRange:1.7to1.8GHz	GUERRILLAGuerrilla RF, Inc. GUERRILLAGuerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
GRF5517W	文件：5.76536 Mbytes Page：27 Pages	HIGHLINEARITYPOWERAMPLIFIER1.7to1.8GHz FEATURES ExcellentOP1dB,OIP3,ACLRandIM3Performance NativeLinearityProvidesupto+23dBmPOUTwith >45dBcACLR–WithouttheNeedforDigital PredistortionCorrection +23dBmLinearOutputPowerMaintainedat105°C FlexibleBiasingProvidesLatitudeforLinearity Optimization 22	GUERRILLAGuerrilla RF, Inc. GUERRILLAGuerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
HC5517	文件：175.57 Kbytes Page：18 Pages	3RENRingingSLICForISDNModem/TAandWLL TheHC5517isaringingSLICdesignedtoaccommodateawidevarietyoflocalloopapplications.Thevariousapplicationsinclude,basicPOTSlineswithansweringmachinesandfaxcapabilities,ISDNnetworks,wirelesslocalloop,andhybridfibercoax(HFC)terminals.TheHC5517providesahighdeg	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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详细参数

型号：
NE5517NG
功能描述：
跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
封装/箱体：
SOIC-14
输入补偿电压：
40 mV at +/- 5 V
电源电压-最大：
+/- 5 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	NE5517NG	ONSemiconductor	2019+	16-DIP	65500	原装正品货到付款,价格优势!	询价
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深圳市大联智电子有限公司	NE5517NG	ON Semiconductor	2022+	16-DIP(0.300,7.62mm)	6680	原厂原装，欢迎咨询	询价
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更多NE5517NG供应商更新时间2024-4-30 14:12:00

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