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NE552R679A-A

Package:4-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG

CEL

NE552R679A

SILICON POWER MOS FET

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE552R679A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.0 V FRS (Family Radio Service). Dies are manufactured using ou

文件:290.69 Kbytes 页数:11 Pages

RENESAS

瑞萨

NE552R679A

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

文件:68.5 Kbytes 页数:9 Pages

NEC

瑞萨

NE5532

SOP/DIP

NE5532

SOP/DIP

TI/ST

产品属性

  • 产品编号:

    NE552R679A-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    460MHz

  • 增益:

    20dB

  • 额定电流(安培):

    350mA

  • 功率 - 输出:

    28dbm

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    79A

  • 描述:

    FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NE552R679A-A供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00