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NE552R679A-T1

丝印:AU;Package:79A;SILICON POWER MOS FET

3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR460MHz0.6WTRANSMISSIONAMPLIFIERS DESCRIPTION TheNE552R679AisanN-channelsiliconpowerlaterallydiffusedMOSFETspeciallydesignedasthe transmissionpoweramplifierfor3.0VFRS(FamilyRadioService).Diesaremanufacturedusingou

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE552R679A-T1

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NE552R679A-T1A

丝印:AU;Package:79A;SILICON POWER MOS FET

3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR460MHz0.6WTRANSMISSIONAMPLIFIERS DESCRIPTION TheNE552R679AisanN-channelsiliconpowerlaterallydiffusedMOSFETspeciallydesignedasthe transmissionpoweramplifierfor3.0VFRS(FamilyRadioService).Diesaremanufacturedusingou

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE552R679A-T1A

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NE552R679A-T1A-A

FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG;

CEL

California Eastern Labs

NE552R679A-T1A-A

Package:4-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG

CEL

California Eastern Labs

技术参数

  • 频率:

    460MHz

  • 增益:

    20dB

  • 电压 - 测试:

    3V

  • 额定电流:

    350mA

  • 电流 - 测试:

    300mA

  • 功率 - 输出:

    28dbm

  • 电压 - 额定:

    3V

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    79A

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
6000
面议
19
DIP/SMD
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NEC
05+
79A-PKG
235
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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NEC
2023+
SMD
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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NEC
23+
79A-PKG
235
全新原装正品现货,支持订货
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NEC
24+
SMD
60000
全新原装现货
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79A
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23+
79A
9000
原装正品,支持实单
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更多NE552R679A-T1供应商 更新时间2025-7-30 15:09:00