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MRF6V2300N中文资料10-600 MHz,300 W,50 V单端宽带射频功率LDMOS数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF6V2300N

功能描述

10-600 MHz,300 W,50 V单端宽带射频功率LDMOS

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:31:00

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MRF6V2300N规格书详情

描述 Description

The MRF6V2300NR1 and MRF6V2300NBR1 are designed primarily for CW large-signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

特性 Features

• Typical CW Performance at 220 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 900 mA, Pout = 300 Watts, f = 220 MHzPower Gain: 25.5 dBDrain Efficiency: 68%
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 300 Watts CW Output Power
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
• Integrated ESD Protection
• 225°C Capable Plastic Package
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel
NOTE: PARTS ARE SINGLE–ENDED

技术参数

  • 型号:

    MRF6V2300N

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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