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MRF6V13250HS数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF6V13250HS

功能描述

Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1300 MHz, 250 W, 50 V

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:12:00

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MRF6V13250HS规格书详情

描述 Description

RF Power transistors, MRF6V13250HR3 and MRF6V13250HSR3, are designed for CW and pulse applications operating at 1300 MHz. These devices are suitable for use in CW and pulse applications.

特性 Features

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• Internally Matched for Ease of Use
• Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
• Characterized from 20 V to 50 V for Extended Power Range
• Integrated ESD Protection
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 56 mm Tape Width, 13-inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF6V13250HS

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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