MRF6V13250H中文资料1300 MHz，250 W，50 V射频功率LDMOS数据手册恩XP规格书

厂商型号	MRF6V13250H
功能描述	1300 MHz，250 W，50 V射频功率LDMOS
制造商	恩XP
中文名称	N智浦
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-26 10:31:00
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MRF6V13250H规格书详情

描述 Description

RF Power transistors, MRF6V13250HR3 and MRF6V13250HSR3, are designed for CW and pulse applications operating at 1300 MHz. These devices are suitable for use in CW and pulse applications.

特性 Features

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• Internally Matched for Ease of Use
• Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
• Characterized from 20 V to 50 V for Extended Power Range
• Integrated ESD Protection
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 56 mm Tape Width, 13-inch Reel.

技术参数

型号：
MRF6V13250H
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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