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MRF6V2010GN中文资料Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF6V2010GN

功能描述

Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:12:00

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MRF6V2010GN规格书详情

描述 Description

The MRF6V2010N, MRF6V2010GN and MRF6V2010NB are designed primarily for CW large-signal output and driver applications with frequencies up to 450 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

特性 Features

• Typical CW performance at 220 MHz: VDD = 50 Vdc, IDQ = 30 mA, Pout = 10 WPower gain: 23.9 dBDrain efficiency: 62%
• Capable of handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 10 W CW output power
• Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
• Qualified Up to a maximum of 50 VDD operation
• Integrated ESD protection
• 225°C capable plastic package
• RoHS compliant

技术参数

  • 型号:

    MRF6V2010GN

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W TO270-2GN

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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