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MRF1	文件：102.1 Kbytes Page：2 Pages	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series 文件：102.1 Kbytes 页数：2 Pages	bel	bel
MRF1	文件：1.37879 Mbytes Page：4 Pages	TYPE MRF FAST ACTING RADIAL LEAD MICRO FUSE SERIES 文件：1.37879 Mbytes 页数：4 Pages	bel	bel
MRF1.25	文件：102.1 Kbytes Page：2 Pages	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series 文件：102.1 Kbytes 页数：2 Pages	bel	bel
MRF1.6	文件：102.1 Kbytes Page：2 Pages	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series 文件：102.1 Kbytes 页数：2 Pages	bel	bel
MRF100	文件：102.1 Kbytes Page：2 Pages	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series 文件：102.1 Kbytes 页数：2 Pages	bel	bel
MRF10005	文件：198.78 Kbytes Page：5 Pages	Microwave Power Silicon Bipolar Transistor 5.0 W, 960-1215 MHz, 28V Description and Applications Designed for CW and long-pulsed common base amplifier applications, such as JTIDS and Mode S, in the 0.96 to 1.215 GHz frequency range with high overall duty cycles. Features • Guaranteed performance @1.215GHz, 28Vdc • Output power: 5.0W CW • Minimum gain = 8.5dB, 文件：198.78 Kbytes 页数：5 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF10005	文件：100.17 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTOR The RF Line Microwave Power Transistor . . . designed for CW and long pulsed common base amplifier applications, such as JTIDS and Mode S, in the 0.96 to 1.215 GHz frequency range at high overall duty cycles. • Guaranteed Performance @ 1.215 GHz, 28 Vdc Output Power = 5.0 Watts CW 文件：100.17 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF10005	文件：160.25 Kbytes Page：4 Pages	The RF Line Microwave Power Transistor . . . designed for CW and long pulsed common base amplifier applications, such as JTIDS and Mode S, in the 0.96 to 1.215 GHz frequency range at high overall duty cycles. • Guaranteed Performance @ 1.215 GHz, 28 Vdc Output Power = 5.0 Watts CW Minimum Gain = 8.5 dB, 10.3 dB (Typ) • RF P 文件：160.25 Kbytes 页数：4 Pages	MACOM	MACOM
MRF1000MB	文件：104.81 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTORS NPN SILICON Designed for Class A and AB common emitter amplifier applications in the low–power stages of IFF, DME, TACAN, radar transmitters, and CW systems. • Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 18 Vdc — Class A Output Power = 0.2 Watt Minimum Gain = 10 dB • 100 Tested for Load Mismatch at All Pha 文件：104.81 Kbytes 页数：4 Pages	MACOM	MACOM
MRF1000MB	文件：170.22 Kbytes Page：4 Pages	Class A, Class AB Microwave Power Silicon NPN Transistor 0.7 W, 960-1215 MHz, 18V Description and Applications Designed for Class A and AB common emitter amplifier applications in the low–power stages of IFF, DME, TACAN, radar transmitters, and CW systems. Features • Guaranteed performance @ 1090 MHz, 18 Vdc — Class A • Output power: 0.2W • Minimum gain: 10dB • 100 tested 文件：170.22 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM

技术参数

Min Frequency(MHz)：
960
Max Frequency(MHz)：
1215
Bias Voltage(V)：
28.0
Pout(W)：
5.00
Gain(dB)：
8.50
Efficiency(%)：
45
Type：
Bipolar
Package：
Flange Ceramic Pkg
Package Category：
Ceramic Flange Mount

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