MRF10005分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MRF10005规格书详情
The RF Line Microwave Power Transistor
. . . designed for CW and long pulsed common base amplifier applications, such as JTIDS and Mode S, in the 0.96 to 1.215 GHz frequency range at high overall duty cycles.
• Guaranteed Performance @ 1.215 GHz, 28 Vdc
Output Power = 5.0 Watts CW
Minimum Gain = 8.5 dB, 10.3 dB (Typ)
• RF Performance Curves given for 28 Vdc and 36 Vdc Operation
• 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR
• Hermetically Sealed Industry Standard Package
• Silicon Nitride Passivated
• Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal Migration
• Internal Input Matching for Broadband Operation
• Circuit board photomaster available upon request by contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
产品属性
- 产品编号：
MRF10005
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 增益：
8.5dB ~ 10.3dB
- 功率 - 最大值：
25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
1.25mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
336E-02
- 供应商器件封装：
336E-02，1 型
- 描述：
TRANS 5W 960MHZ-1215MHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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