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RJP6003DPM	文件：110 Kbytes Page：9 Pages	600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJQ6003DPM	文件：110 Kbytes Page：9 Pages	600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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文件：110 Kbytes

Page：9 Pages

600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching

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技术参数

MPS库存：
从MPS官网购买
调节输出：
1
最小输入电压（V）：
10
最大输入电压（V）：
100
最小输出电压（V）：
10
最大输出电压（V）：
150
典型开关电流限（A）：
0.7
典型静态电流（mA）：
1
反馈电压 (V)：
1.21
电源正常输出指示：
否
软启动：
内部
输入/输出断连：
否
省电模式：
否
特性：
频率可调
等级：
目录
MPSafe：
1
MPL：
0
Product URL：
https

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MP6003	MPS/美国芯源	24+	SOP-8	1257	特价优势库存质量保证稳定供货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	MP6003	MPS/美国芯源	24+	SOP-8	5413	百分百原装正品,可原型号开票	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	MP6003	MPS/美国芯源	23+	SOP-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	MP6003	MPS/美国芯源	24+	SOP-8	60000		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	MP6003DN-LF-Z	MPS	2020+	SOIC8	1546	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多MP6003供应商更新时间2025-7-27 16:12:00

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