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MP6003	文件：820.05 Kbytes Page：15 Pages	Monolithic Flyback/SEPIC DC-DC Converter	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6003DN	文件：820.05 Kbytes Page：15 Pages	Marking：MP6003；Package：SOIC8E；Monolithic Flyback/SEPIC DC-DC Converter	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6003-N	文件：691.46 Kbytes Page：9 Pages	Monolithic Flyback/Forward DC-DC Converter Evaluation Board	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MVP-6003	文件：216.82 Kbytes Page：2 Pages	ExpandableFanlessEmbeddedComputer	AdlinkAdlink Technology Inc. 凌华科技凌华科技股份有限公司	Adlink
N6003NZ	文件：280.47 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET600V,2A,4.4Ω Description TheN6003NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±2.0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NCE6003	文件：639.44 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003	文件：503.01 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE6003M	文件：994.89 Kbytes Page：6 Pages	LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE6003M	文件：257.26 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Musesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=60V,ID=3.0A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003X	文件：642.2 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

晶体管资料

型号：
MP6003
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
600V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
14
可代换的型号：
最大耗散功率：
120W
放大倍数：
β>150
图片代号：
I-27
vtest：
600
htest：
999900
atest：
5
wtest：
120

详细参数

型号：
MP6003
制造商：
Monolithic Power Systems
功能描述：
15W DC/DC FOR SOLAR APPLICATIONS - Bulk
功能描述：
15W DC/DC for solar applications

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更多MP6003供应商更新时间2025-5-25 10:22:00

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