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NCE6003XM	文件：675.83 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XMusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003XY	文件：711.16 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XYusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003Y	文件：293.66 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003Y	文件：503.1 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NFT6003	文件：3.15583 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NMC-6003	文件：612.67 Kbytes Page：1 Pages	2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard Features SinglehostNICsolutionbyusingIntelE810-CAM2 Overlaynetworkssupport:VxLAN&NVGRE CPUoffload:TSO,LRO,GRO Jumboframesupport(9.6KB) CompatiblewithFWA-5070,FWA-6070Platform	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
NMC-6003L	文件：580.17 Kbytes Page：1 Pages	1or2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard Features 1xIntelE810-CAM1orE810-CAM2 1or2portsQSFP28connector 1xPCIex8,Gen4 CE/FCC,RoHScompliant	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
NTE6003	文件：34.9 Kbytes Page：3 Pages	NTE5906,NTE5907,NTE5980thruNTE6005SiliconPowerRectifierDiode,40Amp SiliconPowerRectifierDiode,40Amp Features: HighSurgeCurrentCapability HighVoltageAvailable DesignedforaWideRangeofApplications AvailableinAnode–to–CaseorCathode–to–CaseStyle	NTE NTE Electronics	NTE
NW6003	文件：306.7 Kbytes Page：21 Pages	TYPEIICALLERIDDECODER	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
OM6003ST	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECTO257AAPACKAGE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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晶体管资料

型号：
MP6003
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
600V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
14
可代换的型号：
最大耗散功率：
120W
放大倍数：
β>150
图片代号：
I-27
vtest：
600
htest：
999900
atest：
5
wtest：
120

详细参数

型号：
MP6003
制造商：
Monolithic Power Systems
功能描述：
15W DC/DC FOR SOLAR APPLICATIONS - Bulk
功能描述：
15W DC/DC for solar applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MP6003供应商更新时间2025-5-25 16:12:00

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