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NCE6003M	文件：257.26 Kbytes Page：7 Pages	丝印：6003M；Package：SOT-89-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6003M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Feature ● VDS =60V,ID =3.0A RDS(ON) 文件：257.26 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6003M	文件：994.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：6003M；Package：SOT-89-3L；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：994.89 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE6003M	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET The NCE6003M uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application.	NCEPower 新洁能	NCEPower
S6003L	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip 文件：1.60012 Mbytes 页数：12 Pages	TECCOR	TECCOR
STTH6003	文件：72.23 Kbytes Page：6 Pages	HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER DESCRIPTION Dual rectifiers suited for Switch Mode Power Supplyand high frequencyDC to DC converters. Packaged either in ISOTOP or in TO-247, this device is intended for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling operation, welding equipmentsand telecom power supplies. FEATURES 文件：72.23 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH6003TV	文件：72.23 Kbytes Page：6 Pages	HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER DESCRIPTION Dual rectifiers suited for Switch Mode Power Supplyand high frequencyDC to DC converters. Packaged either in ISOTOP or in TO-247, this device is intended for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling operation, welding equipmentsand telecom power supplies. FEATURES 文件：72.23 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-89
Polarity：
P
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
3
VTH(V)：
1.2
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
78
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
105
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
95
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
125
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
510
QG(nC)：
14.6
PD(W)：
1.7

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