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MMDL770	文件：106.58 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.ReadilyavailabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications. •ExtremelyLowMinorityCarrierLifetime •VeryLowCapacitance—1.0pF@20V •LowReverseLeakage—200nA(max)	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
MMDL770	文件：220.34 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=200nA(Max.). ●VeryLowCapacitance—1.0pF@20V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime. ●Highreverseleakage—70V(min.) APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMDL770	文件：207.8 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=200nA(Max.). ●VeryLowCapacitance—1.0pF@20V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime. ●Highreverseleakage—70V(min.) APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDL770	文件：51.62 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE VeryLowCapacitance LowReverseLeakage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMDL770T1	文件：105 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.ReadilyavailabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications. •ExtremelyLowMinorityCarrierLifetime •VeryLowCapacitance—1.0pF@20V •LowReverseLeakage—200nA(max)	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMDL770T1	文件：39.99 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.ReadilyavailabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications. •ExtremelyLowMinorityCarrierLifetime •VeryLowCapacitance–1.0pF@20V •LowReverseLeakage–200nA(max)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDL770T1	文件：106.58 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.ReadilyavailabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications. •ExtremelyLowMinorityCarrierLifetime •VeryLowCapacitance—1.0pF@20V •LowReverseLeakage—200nA(max)	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
MMDL770-T1	文件：51.62 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE VeryLowCapacitance LowReverseLeakage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMDL914	文件：232.04 Kbytes Page：3 Pages	High speed switching diodes FEATURES ●SmallSurfaceMountingType: SOD-323 ●HighSpeed:t=4.0nsTyp APPLICATIONS ●Highspeedswitching	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMDL914	文件：313.68 Kbytes Page：3 Pages	200mA Surface Mount Switching Diode - 100V	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS

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详细参数

型号：
MMD
制造商：
C&K Components
功能描述：
MIL SNAP-ACTING SWITCH - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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