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MMBT589LT1	文件：113.5 Kbytes Page：6 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications ADeviceoftheμX™Family 30Volts2.0AmpsPNPTransistor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
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MMBT589LT1_07	文件：64.3 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBT589LT1G	文件：2.79432 Mbytes Page：28 Pages	Compact Intelligent Power Module (IPM) Motor Control Development Kit (MDK) 1 kW	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1G	文件：2.70362 Mbytes Page：26 Pages	Compact Intelligent Power Module Based Motor Evaluation Board with Interleaved Power Factor Correction	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1G_09	文件：138.7 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT589L
功能描述：
两极晶体管 - BJT 2A 30V Switching PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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