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MMBT2222AQ-7-F	文件：244.6 Kbytes Page：7 Pages	Marking：K1P；Package：SOT-23；40V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2222AQ-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
MMBT2222A	文件：105.01 Kbytes Page：5 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT2222A	文件：63.01 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR ■MINIATURESOT-23PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPE&REELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEISMMBT2907A APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORPORTABLEEQUIPMENT ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITHHIGHGAINAND	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MMBT2222A	文件：47.16 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PMBT2907A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MMBT2222A	文件：113.81 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222A	文件：66.41 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. •ThistransistorisalsoavailableintheTO-92casewiththetypedesignationMPS2222A.	GE GE Industrial Company	GE
MMBT2222A	文件：100.03 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •SurfaceMountSOT-23Package •Capableof350mWattsofPowerDissipation,IC=600mA •OperatingJunctionTemperature:-55°Cto+150°C •StorageTemperature:-55°Cto+150°C •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificatioRating94-0andMSLRating1 •Marking:1P	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222A	文件：210.33 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype: SMBT2907A/MMBT2907A(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT2222A	文件：50.06 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalTransistor(NPN) Features NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

产品属性

产品编号：
MMBT2222AQ-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT2222_Q供应商更新时间2025-7-26 23:00:00

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